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    IPP14N03LA
    描述:P-TO220-3-1原装进口 N沟道,通态漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
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  • 价格
  • 11
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    IPI14N03LA
    描述:P-TO262-3-1 原装进口 N沟道,通态漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
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  • 价格
  • 11
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    IPB14N03LA
    描述:P-TO263-3-2 原装进口 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
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  • 价格
  • 7.0
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    IPB114N03L
    描述:PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0114欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=38W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 3
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    IPB09N03LA 散新
    描述:P-TO263-3-2 散新 品牌infineon N沟道,漏极电流ID=50A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散功率PD=63W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3
  • 2.5
  •  
    IPB09N03LA 进口
    描述:P-TO263-3-2 品牌infineon N沟道,通态漏极电流ID=50A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散功率PD=63W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 另议
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    IPB039N04LG
    描述:PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=80A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=40V,漏源电阻RDS(on)<=0.039欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=80A,耗散功率PD=94W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 5.3
  • 4.7
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    BSS84
    描述:SOT-23 P沟道,漏极电流ID=-0.13A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)<=10欧 at 栅源电压VGS=-5V 漏极电流ID=-0.1A,耗散功率PD=0.36W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 100
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  • 价格
  • 0.2
  • 0.15
  •  
    IRFD120
    描述:DIP4 N沟道,通态漏极电流ID=1.3A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.27欧
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 2.2
  • 1.8
  •  
    IRFD123
    描述:4脚直插 N沟道,漏极电流ID=1.1A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=80V,漏源电阻RDS(on)<=0.4欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.6A,耗散功率PD<=1W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 4
  •  
    2SK660
    描述:TO-92 N沟道 10mA 20V, 品牌NEC
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 2
  • 另议
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    BS170
    描述:TO-92 N沟道,漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.25
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    BS170P
    描述:SOT223 国产infineon,N沟道 0.5A 60V,通态漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.6
  • 另议
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    数量:;价格:
    3DJ6F
    描述:TO-18 结型耗尽型场效应管;N沟道、 20V 、15mA 、100mW
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 6
  • 另议
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    数量:;价格:
    2SK30A
    描述:TO-92 N沟道 栅极电流IG=10mA at 25摄氏度,栅漏击穿电压VGDS=-50V,耗散功率PD=0.1W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 100
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  • 价格
  • 1.2
  • 0.9
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    2SK1020 翻新
    描述:TO-3PL 品牌富士通 N沟道 30A,500V,0.25欧
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 15
  • 另议
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    IRFU120
    描述:TO-251 进口IR N沟道,漏极电流ID=7.7A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)=0.27欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=4.6A,耗散功率PD=42W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 1.7
  •  
    AOB414
    描述:TO-263 品牌AOS N沟道,通态漏极电流ID=51A,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.0025欧 at 栅源电压VGS=10V
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 另议
  •  
    FDG6322C
    描述:封装SOT363(SC706L) 品牌仙童 220 mA, 25 V,2通道, N和P沟道
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 1.2
  • 1
  •  
    FDMS86101
    描述:品牌仙童 封装QFN 贴式8脚 N沟道 100V, 60A, 8mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 9.5
  • 另议
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    IRFM120A
    描述:品牌仙童 SOT-223 N沟道 100V, 2.3A, 0.2Ω
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5
  • 另议
  •  
    PMT200EN
    描述:品牌NXP SOT-223 N沟道 100V
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 5.5
  • 另议
  •  
    NTF2955T1G
    描述:封装SOT-223 品牌ON P沟道 60V,2.6A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 7
  • 另议
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    ZVN4310G
    描述:封装SOT-223 品牌ZETEX N沟道 100V,1.67A 0.75欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 另议
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    NTR4101PT1G
    描述:封装SOT23 品牌ON P沟道 20V,3.2A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1
  • 另议
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    FQL40N50
    描述:封装TO-264 品牌仙童 N沟道 500V,40A,0.11欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 30
  • 另议
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    2N7002LT1G
    描述:封装SOT23 品牌ON N沟道 60V,115mA,5欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.45
  • 0.35
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